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分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE

簡(jiǎn)要描述:v分子束外延,是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號(hào)

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更新時(shí)間

2024-10-22

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詳細(xì)介紹

v 分子束外延,是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在溫度保持在幾的單晶基片上。如果設(shè)置幾個(gè)噴射爐,就可以制取多元半導(dǎo)體混晶,又可以同時(shí)進(jìn)行摻雜??梢跃_地控制結(jié)晶生長(zhǎng),進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長(zhǎng)過(guò)程的研究

v 12個(gè)源爐:鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等

v 襯底:4inch

v 溫度:1000°C 溫度均勻性:≤±3°C4inch

v 超高真空下全自動(dòng)樣品轉(zhuǎn)移

v 用于過(guò)程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控功能

v 一個(gè)集群上最多7個(gè)超高真空功能單元:裝載、儲(chǔ)存、翻轉(zhuǎn)、處理、排氣、生長(zhǎng),外部腔室

v 可連接其他分析設(shè)備或其他:ALD、PLD、PVD、金屬化、STM......

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